半導體 UHP 壓力表完整選型指南 2026
半導體 UHP 壓力表完整選型指南 2026
潔淨室壓力量測 × EP/BA 拋光 × 氦氣測漏標準全解析
晶圓廠選錯壓力表,代價不是讀數偏差——是整批晶圓報廢與數百萬台幣的製程 Excursion。本指南由昶特 ATLANTIS 31 年半導體儀錶工程實務整理,涵蓋 UHP 選型四大關鍵、SEMI 標準、洩漏測試規格、應用場景矩陣與 ATLANTIS HCPG 產品完整技術規格。
一、為什麼半導體製程不能用一般工業壓力表?
現代晶圓製程的線寬已縮小至 3 nm 以下,單一微塵顆粒(直徑 > 100 nm)足以摧毀整片晶圓的良率。在這個製程尺度下,儀錶本身的材質釋氣(Outgassing)、微粒脫落與接縫洩漏,都可能成為污染源。
某 8 吋廠 NH₃ 供氣管路壓力表接頭洩漏,微量氨氣進入 FAB 環境,導致黃光區光阻曝光異常。事後調查顯示,洩漏率約 5×10⁻⁶ atm·cc/sec——遠未達肉眼可察覺的程度,但足以造成整批 Lot 報廢,損失超過 NT$800 萬。若採用洩漏率 ≤ 1×10⁻⁹ atm·cc/sec 的 UHP 壓力表,此事故本可完全避免。
一般工業壓力表 vs UHP 壓力表核心差異
| 比較項目 | 一般工業壓力表 | UHP 半導體壓力表 |
|---|---|---|
| 接液材質 | 銅合金 / 316 SS | 316L SS(低碳) |
| 表面處理 | 機械拋光 Ra 1.6 µm | EP 電解拋光 Ra 0.1~0.25 µm |
| 製造環境 | 一般廠房 | ISO Class 5~6 潔淨室 |
| 氦氣洩漏率 | 未要求(>10⁻⁶) | ≤ 1×10⁻⁹ atm·cc/sec |
| 清潔製程 | 無 | 超音波純水清洗 + N₂ 吹淨 |
| 包裝 | 一般紙盒 | 雙層密封 / PET 真空封裝 |
| 精度等級 | ±1.5%~±2.5% FS | ±0.5%~±1.0% FS |
| 材質證明書 | 通常不提供 | EN 10204 3.1 MTR 標準提供 |
| 適用場合 | 一般工業、水處理、HVAC | 晶圓廠、生物技術、醫療設備 |
1×10⁻⁹
atm·cc/sec
Ra ≤0.25
表面粗糙度(µm)
ISO 5
潔淨室等級
±0.5%
要求(FS)
316L
接液部位標準
二、半導體壓力表選型四大關鍵深度解析
2-1 材質深度解析:316 vs 316L vs 316Ti
半導體製程中,微量金屬離子(Fe、Ni、Cr)進入氣體管路即可能造成晶圓金屬污染(Metallic Contamination),影響 MOS 元件特性。接液材質的碳含量與表面處理直接影響金屬析出量:
| 材質 | 碳含量 | 抗晶間腐蝕 | UHP 適用性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 316L | ≤ 0.03% | ✓ 優 | ✓ 推薦 | 低碳,焊接後不易敏化 |
| 316 | ≤ 0.08% | △ 一般 | ✗ 不推薦 | 焊接後可能晶間腐蝕 |
| 316Ti | ≤ 0.08%(Ti 穩定) | ✓ 優 | △ 特殊應用 | 鈦穩定,高溫場合用 |
| 316L VIM/VAR | ≤ 0.02%(極低) | ✓ 極優 | ✓ 最高等級 | 真空感應熔煉+真空電弧重熔,金屬離子含量最低 |
2-2 電解拋光(EP)vs 光輝退火(BA)對比
| 項目 | EP 電解拋光 | BA 光輝退火 |
|---|---|---|
| 原理 | 電化學溶解表面凸起 | 氫氣氛圍熱處理 |
| Ra 值 | 0.1~0.25 µm | 0.25~0.5 µm |
| 氧化鉻鈍化層 | ≥ 1.5 nm(緻密均勻) | 均勻但稍薄 |
| 乾燥時間 | 短(水分不易吸附) | 較長 |
| 主要應用 | 特殊氣體管路、研究級 UHP | 一般 UHP 氣體配管 |
| 適合氣體 | SiH₄、PH₃、HF、Cl₂ | N₂、Ar、H₂、CDA |
2-3 氦氣測漏數據解讀
圖:各應用場合氦氣洩漏率要求等級比較(數量級示意)
2-4 量程與精度選型矩陣
半導體廠務不同介質的壓力範圍差異極大,選型前須確認製程操作壓力,再據此決定量程與精度等級:
| 氣體/介質 | 典型操作壓力 | 建議量程 | 建議精度 | 氦氣測漏 |
|---|---|---|---|---|
| 矽烷(SiH₄) | 1~5 bar | 0~10 bar | ±0.5% | 必須 |
| 氨氣(NH₃) | 2~8 bar | 0~16 bar | ±0.5% | 必須 |
| 磷化氫(PH₃) | 0.5~3 bar | 0~6 bar | ±0.5% | 必須 |
| 氮氣(N₂) | 3~7 bar | 0~10 bar | ±1.0% | 建議 |
| 氬氣(Ar) | 2~6 bar | 0~10 bar | ±1.0% | 建議 |
| CDA 乾燥空氣 | 5~7 bar | 0~10 bar | ±1.0% | 不必須 |
| 冷卻水(DIW) | 2~5 bar | 0~10 bar | ±1.0% | 不必須 |
| 潔淨室差壓 | 5~25 Pa | 0~100 Pa | ±1% FS | 不必須 |
三、ATLANTIS HCPG 高純度壓力表完整規格
「昶特 ATLANTIS 的任務,不是販賣一個儀錶,而是為每一段半導體製程管路提供可以信賴的精密守護。」—— 昶特設備不屈服,不妥協。

UHP 超高純度 AP/MP 潔淨等級 氦氣測漏合格 真空焊接 半導體 ✓ 生物技術 ✓
HCPG 詳細技術規格表
| 規格項目 | 規格內容 |
|---|---|
| 錶盤尺寸 | 1.5", 2" |
| 安裝型式 | 下接式(A)/ 後接式(ADC)/ 後接式附凸緣(BDC) |
| 視窗材質 | PC 塑料,O-ring 密封 |
| 接液材質 | SS 316 / SS 316L / SS 316Ti |
| 壓力接頭規格 | 1/4"NPT / 1/4"BSP / 1/4"VCR(M/F) / 9/16"-18UNF(M) 固定式/可旋式 |
| 量測範圍(錶壓) | 0 ~ 350 bar(可客製) |
| 量測範圍(複合壓) | -1…0 ~ 24 bar |
| 適用介質 | 與 SS316 相容之氣體與液體 |
| 環境溫度範圍 | -40°C ~ +60°C |
| 介質溫度上限 | +100°C |
| 防護等級 | IP54 |
| 潔淨等級 | AP(分析純度)/ MP(製造純度,PET 真空封裝) |
| 氣密性(氦氣洩漏) | ≤ 1×10⁻⁹ Pa·m³/s(真空焊接製程) |
| 清洗製程 | 超音波純水清洗 |
| 包裝 | N₂ 吹淨後密封;MP 等級採 PET 真空封裝 |
| 外殼材質 | SS304 |
| 指針 | 鋁製黑色烤漆 |
| 感測元件 | C 型波登管 |
| 精度 | ±2.5% FS / ±1.5% FS(客製高精度請詢問) |
| 爆破保護 | 吹出型後板(Blow-out back) |
| 機芯材質 | 不鏽鋼 |
| OEM 服務 | 可提供 |
需要氦氣洩漏測試報告 → HCPG MP 等級;需要分析研究等級潔淨度 → HCPG AP 等級;特殊氣體管路(SiH₄、NH₃)→ 指定 1/4"VCR 接頭 + SS316L 波登管;校驗用途 → 搭配 ATLANTIS TAF 追溯校驗服務。
四、半導體廠各製程區域壓力量測應用矩陣
| 應用區域 | 監測點 | 建議儀錶 | 精度需求 | 特殊要求 |
|---|---|---|---|---|
| 特殊氣體房(Gas Room) | SiH₄、PH₃ 鋼瓶輸出壓力 | HCPG UHP 壓力表 | ±0.5% | VCR 接頭、氦氣測漏 |
| Gas Box 氣體分配盤 | 各路氣體管路壓力 | HCPG + PT-UHP 傳送器 | ±0.5% | 316L 全不鏽鋼、潔淨包裝 |
| CDA 管路系統 | 壓縮機後 / 使用點壓力 | HCPG / SUS 壓力表 | ±1.0% | 316L、無銅件 |
| N₂ / Ar 管路 | 供應壓力、緩衝槽壓力 | HCPG MP 等級 | ±1.0% | 潔淨包裝 |
| 潔淨室空調(MAU/CHILLER) | 區域正壓差、過濾器差壓 | DMPT-300 微差壓傳送器 | ±1% FS | 量程 0~250 Pa |
| DIW 去離子水管路 | 管路壓力、濾芯差壓 | SUS 316L 壓力表 | ±1.0% | 耐腐蝕、IP65 |
| 冷卻水(PCW)系統 | 進出管壓力差 | DPTX 差壓傳送器 | ±0.5% | 4-20mA 遠端監控 |
| 真空系統(幹式泵) | 粗抽 / 精抽壓力 | 真空計(另詢) | — | 抗腐蝕性廢氣 |
潔淨室壓差監測特別說明
潔淨室各區域之間的壓差梯度是防止外部污染侵入的最重要屏障。國際標準 ISO 14644-4 建議不同潔淨等級區域間壓差維持在 5~20 Pa,而 SEMI 規範對晶圓廠的要求更嚴格,黃光區通常維持相對外部 15~25 Pa 正壓差。
| 潔淨室區域 | ISO 潔淨等級 | 對外壓差(Pa) | 換氣次數(次/hr) | 建議監測儀錶 |
|---|---|---|---|---|
| 黃光室(Photolithography) | ISO Class 4~5 | +20~25 | 400~600 | DMPT-300 微差壓傳送器 |
| 擴散爐管區 | ISO Class 5 | +15~20 | 300~400 | DMPT-300 |
| 蝕刻機台區 | ISO Class 5~6 | +10~15 | 200~300 | DMPT-300 |
| 一般廠務走廊 | ISO Class 7~8 | +5~10 | 50~100 | DMPT-300 / 一般差壓計 |
| 特殊氣體儲存室 | — (排氣負壓) | -5~-10(負壓) | ≥60 次/hr | DMPT-300 + 警報器 |
五、實際應用案例分析(匿名)
問題背景:原使用一般工業級 316 壓力表,廠務工程師在例行洩漏檢查中發現 SiH₄ 管路接頭有微量洩漏(約 3×10⁻⁶ atm·cc/sec),遠超 UHP 要求。緊急封閉該站點管路,造成機台停機 48 小時。
解決方案:全線更換 ATLANTIS HCPG 高純度壓力表(SS316L 波登管 + VCR 接頭),並提供氦氣洩漏測試報告(≤1×10⁻⁹ atm·cc/sec)與 3.1 MTR 材質認證書。
問題背景:潔淨室差壓監測採用早期機械式差壓計,精度 ±5 Pa,無法即時警示 10 Pa 以下的壓差變化,曾發生門縫開啟時壓差低於 5 Pa 而未觸發警報,外部微塵侵入。
解決方案:導入 ATLANTIS DMPT-300 微差壓傳送器,量程 0~100 Pa,精度 ±0.5% FS(即 ±0.5 Pa),整合 BMS 建築管理系統,壓差低於 8 Pa 即觸發警報。
問題背景:Gas Box 內 12 路製程氣體僅有就地指針式壓力表,無法整合至 SCADA,異常時需人工巡檢,反應時間慢(>15 分鐘)。
解決方案:就地顯示保留 HCPG 機械式 UHP 壓力表(停電時仍可現場確認);遠端監控新增 PT-UHP 超高壓型壓力傳送器(4-20mA 輸出),整合至廠務 SCADA。
三個案例量化成效彙整
| 指標 | 案例 A | 案例 B | 案例 C |
|---|---|---|---|
| 問題類型 | 洩漏 / 停機 | 壓差精度不足 | 監控盲點 |
| 導入儀錶 | HCPG UHP 壓力表 | DMPT-300 微差壓傳送器 | HCPG + PT-UHP 傳送器 |
| 關鍵改善成效 | 洩漏率降低 3000 倍 | 精度提升 10 倍 | 警報時間縮短 96% |
| 年度節省估算 | NT$120 萬+/次停機 | NT$45 萬/年節能 | 避免 3 次 Excursion |
六、半導體 UHP 壓力表選型七步驟
- 確認介質種類:是特殊氣體(SiH₄、PH₃、NH₃、HF)還是惰性氣體(N₂、Ar)?特殊氣體須 100% 氦氣測漏,惰性氣體可視風險評估決定。
- 確認操作壓力:查閱製程文件取得最大操作壓力(MOP)與正常操作壓力(NOP),量程選 NOP 的 1.5~2 倍,且 NOP 落在量程 25%~75% 內。
- 決定精度等級:特殊氣體與關鍵製程 ±0.5% FS;一般廠務氣體(N₂、CDA)±1.0% FS;差壓監控 ±1% FS(0~100 Pa 量程)。
- 確認接頭規格:特殊氣體管路建議 VCR 接頭(金屬墊圈密封);一般 UHP 管路可用 1/4" NPT 或 Swagelok 面密封;確認現場管路接頭規格,避免異質接頭。
- 選擇潔淨等級:分析研究用途 → AP;製程安裝用途 → MP(PET 真空封裝);確認入廠包裝要求。
- 要求技術文件:3.1 MTR 材質認證書、氦氣洩漏測試報告(含批號)、ISO 17025 追溯校驗證書、表面粗糙度報告(如需)。
- 聯絡昶特 ATLANTIS 技術業務:提供介質、壓力、接頭規格,取得 HCPG 選型建議與完整報價,一般現貨常用規格 3~5 工作日可出貨。
□ 接液材質為 316L(而非 316 或銅合金)?
□ 有 EP 電解拋光或 BA 光輝退火認證?
□ 附氦氣洩漏測試報告(≤1×10⁻⁹ atm·cc/sec)?
□ 雙層潔淨包裝記錄完整?
□ 精度 ≤ ±1.0% FS?
五項全符合→ 可繼續使用;任一不符→ 建議立即更換 UHP 等級產品,避免製程污染風險。
七、ATLANTIS 半導體廠務量測完整產品線

全不鏽鋼 IP65 耐腐蝕 多種螺紋規格

耐腐蝕 多尺寸 多種安裝型式 化工/食品/廠務
產品選型快速對照
| 產品 | 適用場合 | 潔淨等級 | 氦氣測漏 | 特殊認證 |
|---|---|---|---|---|
| HCPG | 特殊氣體管路、Gas Box | AP/MP UHP 等級 | ≤1×10⁻⁹ | VCR 接頭可選 |
| MF-SUS | 廠務系統、CDA、N₂ | 工業級 | 不適用 | IP65 |
| SUS | DIW、PCW、一般廠務 | 工業級 | 不適用 | 多尺寸 |
| PT-UHP | SCADA 遠端監控 | 工業級 | 不適用 | 4-20mA / HART |
| DMPT-300 | 潔淨室差壓監測 | — | 不適用 | 量程 ±100~1000 Pa |
常見問題 FAQ(20 題)
Q1. 半導體壓力表(UHP 壓力計)跟一般壓力表有什麼差別?
Q2. 半導體壓力表的氦氣測漏標準是什麼?如何驗證?
Q3. 316L EP 與 316L BA 拋光有什麼差異?
Q4. 半導體壓力表需要哪些 SEMI 標準認證?
Q5. 精度等級 ±0.5% 與 ±1.5% 在半導體製程有何實際影響?
Q6. 量程應如何選擇?常用壓力落在 25~75% 的原因?
Q7. 半導體廠的特殊氣體(矽烷、氨氣)對壓力表有什麼特殊要求?
Q8. VCR 接頭與 NPT 接頭在 UHP 應用有何差異?
Q9. UHP 壓力表的潔淨包裝有哪些規定?
Q10. DMPT-300 微差壓傳送器適合潔淨室哪些監測點?
Q11. 半導體廠差壓監測該選哪個量程的壓力計?
Q12. ATLANTIS HCPG 高純度壓力表有哪些潔淨等級可選?如何區分?
Q13. 晶圓廠對壓力儀表通常要求哪些文件?
Q14. 半導體廠務 CDA 乾燥空氣管路的壓力表應如何選型?
Q15. 氮氣吹淨(N₂ Purge)在 UHP 壓力表安裝中扮演什麼角色?
Q16. 半導體壓力表需要多久校驗一次?
Q17. CVD、PECVD 薄膜沉積製程的氣體管路壓力表應如何選型?
Q18. UHP 壓力表與差壓傳送器如何搭配使用?
Q19. 表面粗糙度 Ra 值對半導體製程的影響為何?
Q20. 昶特 ATLANTIS 可提供哪些半導體壓力量測的技術支援?
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資料來源與參考文獻
[1] WIKA Blog: "UHP Pressure Instruments in Semiconductor Manufacturing" (2026) — https://blog.wika.com/us/applications/uhp-pressure-instruments-semiconductor-manufacturing/
[2] Swagelok: "Pressure Gauges, Ultrahigh-Purity and Clean Dry Air - PGU/PGC Series" — SEMI/SEMATECH UHP 規範,Class 100/10 潔淨室製造,氦氣洩漏 ≤ 1×10⁻⁹ std cm³/s
[3] Ashcroft Blog: "How to Select a UHP Pressure Gauge for Semiconductor Applications" (2024) — 316L 不鏽鋼、氫脆效應、電解拋光表面要求
[4] WIKA Semiconductor Brochure: Process Gas Management Facilities Support Equipment — ISO Class 6 潔淨室製造、SEMI F20 規範
[5] SEMI E49.6: Standard for UHP Component Cleanliness and Packaging Requirements
[6] SEMI S2: Environmental, Health, and Safety Guideline for Semiconductor Manufacturing Equipment
[7] SEMI F20: Specification for Pressure Instruments for Ultrahigh Purity Gas Distribution
[8] 昶特 ATLANTIS 技術文件:HCPG 高純度壓力表規格書(2024)— https://www.re-atlantis.com/products_detail/29
[9] ISO 14644-4: Cleanrooms and Associated Controlled Environments — Design, Construction and Start-up
[10] Prosdata Engineering: "What Does UHP Mean in Semiconductor — And What Instrumentation Do You Need?" (2026)